摘要:化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的平坦化工藝,而控制研磨液中的大顆粒計數(shù)(LPC)對確保晶圓表面質(zhì)量和提高產(chǎn)品良率至關(guān)重要。隨著工藝向更小納米級發(fā)展,對LPC的檢測精度要求更高。文章討論了LPC檢測的技術(shù)難點(diǎn),包括高濃度樣品干擾和大顆粒計數(shù)量化問題,并提出了自動稀釋技術(shù)和高靈敏度的單顆粒光學(xué)傳感技術(shù)(SPOS)作為解決方案。此外,文章還探討了LPC對CMP工藝的影響,包括表面平整度、拋光速率和設(shè)備損耗,并提供了從原材料到CMP slurry制造端的整套LPC監(jiān)控方案,以優(yōu)化工藝參數(shù)和保證設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。
關(guān)鍵詞:大顆粒計數(shù),LPC,化學(xué)機(jī)械拋光,研磨液,Slurry,